高通量的斷面研磨配備斷面研磨能力達到500 µm/h*2以上的高效率離子槍。因此，即使是硬質材料，也可以高效地制備出斷面樣品。 *2 在加速電壓6 kV下，將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時時的最大深度
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斷面研磨● 即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構成的復合材料，也可以制備出平滑的斷面樣品 ● 優(yōu)化加工條件，減輕損傷 ● 可裝載最大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品 斷面研磨的主要用途● 制備金屬以及復合材料、高分子材料等各種樣品的斷面 ● 制備用于分析開裂和空洞等缺陷的斷面 ● 制備評價、觀察和分析所用的沉積層界面以及結晶狀態(tài)的斷面 |
斷面研磨加工原理圖 |
平面研磨（Flat Milling®）● 均勻加工成直徑約為5mm的范圍 ● 可運用于符合其目的的廣泛領域 ● 最大可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品 ● 可選擇旋轉和擺動（±60度～±90度的翻轉）2種加工方法
平面研磨（Flat Milling®）的主要用途● 去除機械研磨中難以消除的細小劃痕和形變 ● 去除樣品的表層 ● 消除FIB加工的損傷
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平面研磨（Flat Milling®）加工原理圖 |
與日立SEM的樣品結合● 樣品無需從樣品臺取下，就可直接在SEM上進行觀察。 ● 在抽出式的日立SEM上，可按照不同的樣品分別設置截面、平面研磨桿，因此，在SEM上觀察之后，可根據(jù)需要進行再加工。
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